2. 云顶国际yd333

      产品信息

      4H 导电型

      SiC单晶衬底

      4H n-type

      当前位置 > 4H-导电型碳化硅单晶衬底
      云顶国际yd333先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
      更好的满足客户的需求
      目前可批量供应6英寸和8英寸导电型产品

      *更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队

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      基本信息

      导电型
      • 晶型 4H
      • 直径（mm） 150/200
      • 偏角（°） 4
      • 厚度（μm） 350/500
      • 表面状态 Epi-ready

      电力电子器件

      通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。
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